磁控濺射鍍膜設(shè)備是一種先進(jìn)的物理氣相沉積(PVD)技術(shù),其核心在于利用濺射效應(yīng)將靶材原子轉(zhuǎn)移到基材表面,從而形成薄膜。濺射效應(yīng)是指當(dāng)高能離子撞擊固體表面時(shí),靶材表面原子被擊出并散射的現(xiàn)象。
在磁控濺射過程中,首先在真空腔體中引入惰性氣體(通常是氬氣)。當(dāng)高壓電場(chǎng)作用于氣體時(shí),氬氣被電離形成等離子體,這種等離子體由帶正電的離子和自由電子組成。等離子體中的高能氬離子在電場(chǎng)的加速下撞擊靶材表面,導(dǎo)致靶材原子被濺射出來。這些濺射出的原子隨后沉積在基材上,逐層形成所需的薄膜。
1.MS450是一臺(tái)高真空磁控濺射鍍膜設(shè)備。
2.設(shè)備主要由真空室、濺射靶槍、濺射電源、加熱樣品臺(tái)、流量控制系統(tǒng)、真空獲得系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、PLC+觸摸屏自動(dòng)控制系統(tǒng)等組成。
3.該設(shè)備主機(jī)與控制一體化設(shè)計(jì),操控方便;結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小。
4.主要用途:
1. 開發(fā)納米級(jí)單層、多層及復(fù)合膜層等。
2. 制備金屬膜、合金膜、半導(dǎo)體膜、陶瓷膜及介質(zhì)膜等,例:銀、鋁、 銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、氮化鈦、氮化鉻、ITO......
3. 兩靶單獨(dú)濺射、依次濺射、共同濺射。
5.應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 高校、科研院所的教學(xué)、科研實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)型企業(yè)前期探索性實(shí)驗(yàn)及開發(fā)新產(chǎn)品等。
2. 鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、OLED、OPV 太陽(yáng)能電池等行業(yè)。